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Untersuchung des Schaltverhaltens von Gan-HEMTs

Untersuchung des Schaltverhaltens von Gan-HEMTs
Typ:Bachelorarbeit
Datum:01.11.2012
Betreuer:

Dipl.-Ing. Andreas Liske

Bild:

Fabian Stamer

Die GaN-Technologie zählt neben der SiC-Technologie aktuell zu den vielversprechendsten Halbleiter-Technologien für die Leistungselektronik. Obwohl die GaN-Leistungshalbleiter noch im Prototypen-Status sind, sind doch bereits sowohl Leistungsdioden als auch Leistungsschalter verfügbar. Durch die spezielle Halbleiterstruktur sind extrem niedrige Schaltverluste zu erwarten, was die Bauelemente für Anwendungen, in denen hohe Frequenzen angestrebt werden, prädestiniert.

Diese Arbeit knüpft an eine bereits abgeschlossene studentische Arbeit an, in welcher eine PFC-Schaltung mit Hochsetzstellertopologie aufgebaut wurde. Sie ist bereits für die Ansteuerung der GaN-HEMTs vorbereitet und getestet. In dieser Arbeit sollen nun neue, aktuell noch im Prototypensytatus befindliche GaN-HEMTs eingesetzt und deren Schaltverhalten bei unterschiedlichen Spannungen und Leistungen untersucht werden.