Martin Leo Fein, M.Sc.
- Wissenschaftlicher Mitarbeiter
- Leistungselektronische Systeme (PES)
- Gruppe:
Stromrichtersystemtechnik
- Sprechstunden:
Nach Vereinbarung
- Raum: 118
CS 11.10 - Tel.: +49 721 608-46529
- martin fein ∂does-not-exist.kit edu
Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Elektrotechnisches Institut (ETI)
KIT Campus Süd
Engelbert-Arnold-Str. 5
Geb. 11.10, Raum 118
D-76131 Karlsruhe
| Titel | Typ | Semester | Ort |
|---|---|---|---|
| Praktikum Hard- und Software in leistungselektronischen Systemen | Praktikum (P) | WS 25/26 |
| Titel | Forschungsthema | Betreuung | Bild | Datum |
|---|---|---|---|---|
| Entwicklung einer flexiblen Signalverarbeitung zur Echtzeit-Parametrierung eines Wirbelstromprüfprototyps | Messwerterfassung |
|
Ab sofort | |
| Verbesserung und Erweiterung neuartiger anwendungsnaher Charakterisierungsmethoden von GaN-Leistungshalbleitern | Charakterisierung von Leistungshalbleitern |
|
offen |
| Titel | Forschungsthema | Betreuung | Bild | Datum |
|---|---|---|---|---|
| Entwicklung eines modularen Vollbrückenmoduls mit kryogener Temperaturregelung | Kryogene Leistungselektronik |
|
07/2025 |
| Titel | Forschungsthema | Betreuung | Bild | Datum |
|---|---|---|---|---|
| Entwicklung und Aufbau einer Hochstrom GaN Halbbrücke mit parallelisierten HEMTs | GaN HEMTs |
|
03.02.2025 | |
| Vergleich und Charakterisierung von markterhältlichen GaN-Leistungshalbleitern | Charakterisierung von Leistungshalbleitern |
|
17.02.2025 | |
| Aufbau und Inbetriebnahme einer kryogenen Dual Active Bridge mit GaN Halbleitern | Kryogene Leistungselektronik |
|
8.6.2024 | |
| Grundlegende Überarbeitung eines 48V-Gleichspannungswandlers basierend auf GaN-Halbleitern | Leistungselektronik |
|
7. April 2025 |
