Martin Leo Fein, M.Sc.
- Research Associate
- Leistungselektronische Systeme (PES)
- Group:
Stromrichtersystemtechnik
- Office Hours:
Nach Vereinbarung
- Room: 118
CS 11.10 - Phone: +49 721 608-46529
- martin fein ∂does-not-exist.kit edu
Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Elektrotechnisches Institut (ETI)
KIT Campus Süd
Engelbert-Arnold-Str. 5
Geb. 11.10, Raum 118
D-76131 Karlsruhe
| title | type | semester | place |
|---|---|---|---|
| Praktikum Hard- und Software in leistungselektronischen Systemen | internship | Wintersemester | Seminarraum (Raum 016), Labor 110.5 (Raum 110.5) |
| title | chair | tutor | Image |
|---|---|---|---|
| Entwicklung einer flexiblen Signalverarbeitung zur Echtzeit-Parametrierung eines Wirbelstromprüfprototyps | Messwerterfassung |
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| Verbesserung und Erweiterung neuartiger anwendungsnaher Charakterisierungsmethoden von GaN-Leistungshalbleitern | GaN-Leistungshalbleiter Charakterisierung | M.Sc. Philipp Swoboda M.Sc. Martin Fein |
| title | chair | tutor | Image |
|---|---|---|---|
| Entwicklung eines modularen Vollbrückenmoduls mit kryogener Temperaturregelung | Kryogene Leistungselektronik |
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| Titel | Forschungsthema | Betreuung | Bild | Datum |
|---|---|---|---|---|
| Vergleich und Charakterisierung von markterhältlichen GaN-Leistungshalbleitern | Charakterisierung von Leistungshalbleitern | 12/2024 | ||
| Grundlegende Überarbeitung eines 48V-Gleichspannungswandlers basierend auf GaN-Halbleitern | Leistungselektronik | Philipp Swoboda, M.Sc. Martin Fein, M.Sc. |
|
7. April 2025 |
| Entwicklung und Aufbau einer Hochstrom GaN Halbbrücke mit parallelisierten HEMTs | GaN HEMTs |
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Januar 2025 | |
| Aufbau und Inbetriebnahme einer kryogenen Dual Active Bridge mit GaN Halbleitern | Kryogene Leistungselektronik |
|
8.6.2024 |
